收藏本站
New Product
SiR406DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.030
0.024
0.01 8
0.012
0.006
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
I D = 15 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
250
200
150
100
50
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
10
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
0.01
BVDSS Limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
www.vishay.com
4
0.01
0.1 1 10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
100
Document Number: 64982
S09-1095-Rev. A, 15-Jun-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIR414DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SIR418DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
SIR436DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC
SIR440DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC
SIR462DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK 8SOIC
SIR464DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC
SIR468DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
SIR470DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SIR408DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIR408DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR410DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIR410DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 35A 36W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR412DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIR412DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR414DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SIR414DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 83W 2.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube